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RM6N100S4

RM6N100S4
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產(chǎn)品型號 RM6N100S4
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223-3
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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