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IRF7341GTRPBF

IRF7341GTRPBF
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產(chǎn)品型號(hào) IRF7341GTRPBF
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 55V 5.1A
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 25V
Power - Max2.4W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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