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FDG6321C

FDG6321C
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產(chǎn)品型號 FDG6321C
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Power - Max300mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSC-88 (SC-70-6)

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