G5S12020B
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產(chǎn)品型號 | G5S12020B |
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制造商 | Global Power Technology |
產(chǎn)品介紹 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P 我們努力為客戶提供 Global Power Technology品牌的產(chǎn)品G5S12020B 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù),請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
---|---|---|---|
Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 33A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 1200 V | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247AB |
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G5S12020B是一款高性能、可靠性強(qiáng)的二極管陣列
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