1N5817HB0G
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產(chǎn)品型號 | 1N5817HB0G |
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制造商 | Taiwan Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | Schottky |
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V | Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450 mV @ 1 A | Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - | Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial | Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 125°C |
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