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WNSC2D201200W6Q

WNSC2D201200W6Q
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產(chǎn)品型號 WNSC2D201200W6Q
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
產(chǎn)品介紹 DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 20 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr200 μA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F845pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-2 Supplier Device PackageTO-247-2
Operating Temperature - Junction175°C

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