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WNSC2D2012006Q

WNSC2D2012006Q
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產(chǎn)品型號 WNSC2D2012006Q
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
產(chǎn)品介紹 WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MAR
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.65 V @ 20 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr100 μA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F950pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Supplier Device PackageTO-220AC
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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