WNSC2D2012006Q
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產(chǎn)品型號 | WNSC2D2012006Q |
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制造商 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
---|---|---|---|
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | Current - Average Rectified (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 20 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 μA @ 1200 V |
Capacitance @ Vr, F | 950pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | TO-220AC |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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