NXPSC08650D6J
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產(chǎn)品型號 | NXPSC08650D6J |
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制造商 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
產(chǎn)品介紹 | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK 我們努力為客戶提供 WeEn Semiconductors Co., Ltd品牌的產(chǎn)品NXPSC08650D6J 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù),請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Last Time Buy | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 μA @ 650 V |
Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Supplier Device Package | DPAK |
Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
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