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VEC2616-TL-H-Z

VEC2616-TL-H-Z
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產(chǎn)品型號(hào) VEC2616-TL-H-Z
制造商 Texas Instruments
產(chǎn)品介紹 VEC2MOSN-CHANNP-CHANNARR632.5A
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V, 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V, 11nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds505pF @ 20V
Power - Max900mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package8-ECH

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