NVMD6N03R2G
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產(chǎn)品型號 | NVMD6N03R2G |
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制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Obsolete | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
Power - Max | 1.29W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
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