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SP8M5FU6TB

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產(chǎn)品型號 SP8M5FU6TB
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.1nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 10V
Power - Max2W Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

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