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PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518
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產品型號 PHKD3NQ10T,518
制造商 Nexperia
產品介紹 MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds633pF @ 20V
Power - Max2W Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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