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BSC072N03LDGATMA1

BSC072N03LDGATMA1
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產(chǎn)品型號 BSC072N03LDGATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 15V
Power - Max57W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-4

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