NTHD5903T1G
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產(chǎn)品型號 | NTHD5903T1G |
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制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Obsolete | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 P-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 2.2A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Power - Max | 1.1W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package | ChipFET? |
NTHD5903T1G 相關(guān)的關(guān)鍵詞
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