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IRF8513PBF

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產(chǎn)品型號 IRF8513PBF
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds766pF @ 15V
Power - Max1.5W, 2.4W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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