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TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M)
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產(chǎn)品型號(hào) TPC8211(TE12L,Q,M)
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 10V
Power - Max450mW Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package8-SOP (5.5x6.0)

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