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APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG
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產(chǎn)品型號 APTM100TDU35PG
制造商 Microsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs186nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 25V
Power - Max390W Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP6
Supplier Device PackageSP6-P

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