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FDD3510H

FDD3510H
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產(chǎn)品型號 FDD3510H
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel, Common Drain FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 40V
Power - Max1.3W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Supplier Device PackageTO-252 (DPAK)

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