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NTLJD2105LTBG

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產(chǎn)品型號(hào) NTLJD2105LTBG
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max520mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-WDFN (2x2)

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