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SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3
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產(chǎn)品型號 SIB911DK-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs295mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds115pF @ 10V
Power - Max3.1W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CasePowerPAK? SC-75-6L Dual
Supplier Device PackagePowerPAK? SC-75-6L Dual

SIB911DK-T1-E3 相關(guān)的關(guān)鍵詞

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