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SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3
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產品型號 SI5513DC-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產品介紹 MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max1.1W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package1206-8 ChipFET?

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