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SI4563DY-T1-E3

SI4563DY-T1-E3
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產(chǎn)品型號 SI4563DY-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2390pF @ 20V
Power - Max3.25W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

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