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BSO615CT

BSO615CT
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產(chǎn)品型號(hào) BSO615CT
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.5nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 25V
Power - Max2W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device PackagePG-DSO-8

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