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ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC
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產(chǎn)品型號(hào) ZXMN6A09DN8TC
制造商 Diodes Incorporated
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 8.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.2nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1407pF @ 40V
Power - Max1.25W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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