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FDS3601

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產(chǎn)品型號(hào) FDS3601
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 1.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds153pF @ 50V
Power - Max900mW Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

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