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PMWD30UN,518

PMWD30UN,518
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產(chǎn)品型號 PMWD30UN,518
制造商 NXP Semiconductors
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1478pF @ 10V
Power - Max2.3W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package8-TSSOP

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