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BSO207PNTMA1

BSO207PNTMA1
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產(chǎn)品型號 BSO207PNTMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 40μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1013pF @ 15V
Power - Max2W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device PackagePG-DSO-8

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