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IPG20N06S415AATMA1

IPG20N06S415AATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPG20N06S415AATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2260pF @ 25V
Power - Max50W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-10

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