EPC2101ENGRT
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| 產(chǎn)品型號 | EPC2101ENGRT |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 產(chǎn)品介紹 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 我們努力為客戶提供 EPC品牌的產(chǎn)品EPC2101ENGRT 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Discontinued at Digi-Key | Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
|---|---|---|---|
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Power - Max | - | Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
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