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GE12160CEA3

GE12160CEA3
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產(chǎn)品型號 GE12160CEA3
制造商 GE Aerospace
產(chǎn)品介紹 1200V 1425A SiC Half-Bridge
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.425kA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 475A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 480mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3744nC @ 18V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90000pF @ 600V
Power - Max3.75kW (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (Tc)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseModule
Supplier Device Package-

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