TP44440HB
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產(chǎn)品型號 | TP44440HB |
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制造商 | Tagore Technology |
產(chǎn)品介紹 | GAN FET 1/2 BRIDGE .36OHM 30QFN 我們努力為客戶提供 Tagore Technology品牌的產(chǎn)品TP44440HB 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù),請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Power - Max | - | Operating Temperature | - |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 30-PowerWFQFN |
Supplier Device Package | 30-QFN (8x10) |
TP44440HB 相關(guān)的關(guān)鍵詞
TP44440HB是一款高性能、可靠性強(qiáng)的FET、MOSFET 陣列
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