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PMDXB550UNE/S500Z

PMDXB550UNE/S500Z
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產(chǎn)品型號 PMDXB550UNE/S500Z
制造商 NXP Semiconductors
產(chǎn)品介紹 PMDXB550UNE - N Channel MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id0.95V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30.3pF @ 15V
Power - Max285mW (Ta), 4.03W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageDFN1010B-6

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