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FDME1023PZT

FDME1023PZT
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產(chǎn)品型號 FDME1023PZT
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs142mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 10V
Power - Max600mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-UMLP (1.6x1.6)

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