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FDMS3660S

FDMS3660S
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產品型號 FDMS3660S
制造商 Fairchild Semiconductor
產品介紹 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 15V
Power - Max1W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)

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