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FDMD82100

FDMD82100
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產(chǎn)品型號(hào) FDMD82100
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070pF @ 50V
Power - Max1W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case12-PowerWDFN
Supplier Device Package12-Power3.3x5

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