BUK9K89-100E,115
NXP Semiconductors圖片僅供參考。
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產(chǎn)品型號 | BUK9K89-100E,115 |
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制造商 | NXP Semiconductors |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1108pF @ 25V |
Power - Max | 38W | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
Supplier Device Package | LFPAK56D |
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