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FDMQ8403

FDMQ8403
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產品型號 FDMQ8403
制造商 Fairchild Semiconductor
產品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration4 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 15V
Power - Max1.9W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case12-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package12-MLP (5x4.5)

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