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FDMB3900AN

FDMB3900AN
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產(chǎn)品型號(hào) FDMB3900AN
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds890pF @ 13V
Power - Max800mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerWDFN
Supplier Device Package8-MLP, MicroFET (3x1.9)

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