IPG16N10S4-61
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產(chǎn)品型號 | IPG16N10S4-61 |
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制造商 | Infineon Technologies |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 16A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 9μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Power - Max | 29W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-PowerVDFN |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
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