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FDMS3624S

FDMS3624S
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產(chǎn)品型號 FDMS3624S
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.5A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V, 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA, 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V, 59nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570pF @13V, 4045pF @ 13V
Power - Max2.2W (Ta), 2.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)

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