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EFC4C002NLTDG

EFC4C002NLTDG
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產(chǎn)品型號 EFC4C002NLTDG
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6200pF @ 15V
Power - Max2.6W Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-XFBGA, WLCSP
Supplier Device Package8-WLCSP (6x2.5)

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