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CSD86336Q3D

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產(chǎn)品型號 CSD86336Q3D
制造商 Texas Instruments
產(chǎn)品介紹 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET FeatureLogic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250μA, 1.6V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Power - Max6W Operating Temperature-55°C ~ 125°C
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-VSON (3.3x3.3)

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