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FQS4900TF

FQS4900TF
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產(chǎn)品型號 FQS4900TF
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V, 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A, 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 650mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.95V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max2W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

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