CSD86311W1723
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產(chǎn)品型號 | CSD86311W1723 |
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制造商 | Texas Instruments |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
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Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 2A, 8V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 12.5V |
Power - Max | 1.5W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 12-UFBGA, DSBGA |
Supplier Device Package | 12-DSBGA |
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