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FDMC6890NZ

FDMC6890NZ
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產(chǎn)品型號 FDMC6890NZ
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
Power - Max1.92W, 1.78W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageMicroFET 3x3mm

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