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PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ
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產(chǎn)品型號 PMCXB900UEZ
制造商 NXP Semiconductors
產(chǎn)品介紹 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel Complementary FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21.3pF @ 10V
Power - Max265mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageDFN1010B-6

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