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APTM120A20DG

APTM120A20DG
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產(chǎn)品型號 APTM120A20DG
制造商 Microchip Technology
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs600nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15200pF @ 25V
Power - Max1250W Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP6
Supplier Device PackageSP6

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