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FBG20N04AC

FBG20N04AC
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產(chǎn)品型號 FBG20N04AC
制造商 EPC Space
產(chǎn)品介紹 GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration- FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 100V
Power - Max- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case4-SMD, No Lead
Supplier Device Package4-SMD

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