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MSCSM120HM50CT3AG

MSCSM120HM50CT3AG
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產(chǎn)品型號 MSCSM120HM50CT3AG
制造商 Microchip Technology
產(chǎn)品介紹 PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration4 N-Channel FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs137nC @ 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1990pF @ 1000V
Power - Max245W (Tc) Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseModule
Supplier Device PackageSP3F

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