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APTC60HM45T1G

APTC60HM45T1G
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產(chǎn)品型號 APTC60HM45T1G
制造商 Microchip Technology
產(chǎn)品介紹 MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration4 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7200pF @ 25V
Power - Max250W Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP1
Supplier Device PackageSP1

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